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Dual, SiGe, High-Linearity, 700MHz to 1000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
Typical Operating Characteristics (continued)
(Typical Application Circuit, V CC = +3.3V , P LO = 0dBm, P RF = -5dBm, LO is high-side injected for a 200MHz IF, T C =+25°C, unless
otherwise noted.)
0
RF PORT RETURN LOSS
vs. RF FREQUENCY
0
IF PORT RETURN LOSS
vs. IF FREQUENCY
0
LO SELECTED RETURN LOSS
vs. LO FREQUENCY
5
V CC = 3.3V
IF = 200MHz
5
LO = 900MHz
10
V CC = 3.3V
10
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
10
20
P LO = +3dBm
15
15
20
25
20
25
V CC = 3.0V, 3.3V, 3.6V
IF RETURN LOSS DEPENDS ON
30
40
P LO = -3dBm
P LO = 0dBm
EXTERNAL COMPONENTS
30
30
50
700
750
800
850
900
950
1000
50
140
230
320
410
500
700
850
1000
1150
1300
RF FREQUENCY (MHz)
LO UNSELECTED RETURN LOSS
vs. LO FREQUENCY
0
IF FREQUENCY (MHz)
340
LO FREQUENCY (MHz)
SUPPLY CURRENT
vs. TEMPERATURE (T C )
10
V CC = 3.3V
320
V CC = 3.6V
20
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
300
280
30
40
50
260
240
220
200
V CC = 3.0V
V CC = 3.3V
700
850
1000
1150
1300
-35
-15
5
25
45
65
85
LO FREQUENCY (MHz)
Table 1. DC Current vs. Bias Resistor
Settings
TEMPERATURE ( ° C)
BIAS
CONDITION
1
2
3
4
5
6
7
DC CURRENT
(mA)
359.4
331.8
322.8
311.7
268.2
244.4
223.7
R1 AND R4
VALUES ( Ω )
698
698
698
698
1100
1400
1820
R2 AND R5
VALUES ( Ω )
800
1100
1200
1400
1200
1200
1200
Note: See TOCs 42–46 for performance trade-offs vs. DC bias
condition.
______________________________________________________________________________________
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